S. Ohmi, M. Yoshihara, T. Okamoto, E. Tokumitsu, and H. Ishiwara: "Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT Structures" Reprinted from Extended Abstrasts of the 1995 Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials. 956-958 (1995)
S. Ohmi, M. Yoshihara, T. Okamoto, E. Tokumitsu, and H. Ishiwara: "Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT Structures" Reprinted from Extended Abstrasts of the 1995 Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials. 956-958 (1995)
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S. Ohmi、M. Yoshihara、T. Okamoto、E. Tokumitsu 和 H. Ishiwara：“铁电栅极 HEMT 结构的电气特性”，转载自 1995 年实习生扩展摘要。
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