窒化酸化膜を用いた表面パッシベーションにより生じる4H-SiC pnダイオードの順方向リーク電流の起源
窒化酸化膜を用いた表面パッシベーションにより生じる4H-SiC pnダイオードの順方向リーク電流の起源
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氮化氧化膜表面钝化导致 4H-SiC pn 二极管正向漏电流的根源
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
浅田 聡志;木本 恒暢;須田淳
