Direct determination of the ambipolar diffusion length in GaAs/AlGaAs heterostructures by cathodoluminescence
Direct determination of the ambipolar diffusion length in GaAs/AlGaAs heterostructures by cathodoluminescence
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通过阴极发光直接测定 GaAs/AlGaAs 异质结构中的双极扩散长度
DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Vahala
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Zarem;P. Sercel;J. A. Lebens;L. Eng;A. Yariv;K. Vahala
提出了一种用阴极发光测量确定载流子扩散长度的新技术。这项技术非常精确，可以应用于各种结构。测定了GaAs体、Al0.21Ga0.79As和Al0.37Ga0.63As量子阱材料的双极扩散长度。发现Al_(0.37)Ga_(0.63)As的扩散长度有较大幅度的增加，这归因于寿命增加了一个数量级。
A new technique for determining carrier diffusion lengths by cathodoluminescence measurements is presented. The technique is extremely accurate and can be applied to a variety of structures. Ambipolar diffusion lengths are determined for GaAs quantum well material, bulk GaAs, Al0.21Ga0.79As, and Al0.37Ga0.63As. A large increase in the diffusion length is found for Al0.37Ga0.63As and is attributed to an order of magnitude increase in lifetime.