Realization of conductive aluminum nitride epitaxial layer on silicon substrate by forming spontaneous nano size via-holes
Realization of conductive aluminum nitride epitaxial layer on silicon substrate by forming spontaneous nano size via-holes
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通过形成自发纳米尺寸通孔在硅衬底上实现导电氮化铝外延层
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Kurose and Y. Aoyagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Noriko Kurose;Kota Matsumoto;Fumihiko Yamada;Teuku Muhammad Roffi;Itaru Kamiya;Naotaka Iwata;and Yoshinobu Aoyagi;N.Kurose and Y. Aoyagi;鈴木佳英，一戸佳祐，山田修，喜田進也，村瀬新也，大島吉輝，菊地晴久;N.Kurose and Y. Aoyagi
