High Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Si3N4/Si Interface Structures and Its Correlation with Hysteresis in C-V Curves
High Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Si3N4/Si Interface Structures and Its Correlation with Hysteresis in C-V Curves
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Si3N4/Si界面结构及其与C-V曲线磁滞相关性的高分辨率X射线光电子能谱研究
DOI：
10.1149/ma2005-02/19/748
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaaki Higuchi;A. Teramoto;M. Komura;S. Shinagawa;E. Ikenaga;H. Nohira;Keisuke L. I. Kobayashi;T. Hattori;S. Sugawa;T. Ohmi
