Detailed surface analysis of V-defects in GaN films on patterned silicon(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
Detailed surface analysis of V-defects in GaN films on patterned silicon(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
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通过金属有机化学气相沉积对图案化硅 (111) 衬底上的 GaN 薄膜中的 V 缺陷进行详细的表面分析
DOI：
10.1107/s1600576719005521
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发表时间：
2019
影响因子：
6.1
通讯作者：
Jiang Feng Yi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gao Jiang Dong;Zhang Jian Li;Zhu Xin;Wu Xiao Ming;Mo Chun Lan;Pan Shuan;Liu Jun Lin;Jiang Feng Yi
