Electron Confinement in a STMlithographed Nanoscale Domain on an Si(111)√3x√3-Ag Surface at Room Temperature
Electron Confinement in a STMlithographed Nanoscale Domain on an Si(111)√3x√3-Ag Surface at Room Temperature
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室温下 Si(111)√3x√3-Ag 表面上 STM 光刻纳米级域中的电子限制
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ishiduka & H. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Minamoto;T.Ishiduka & H. Hirayama
