３～５μm 帯GaAs基板上InAsSbのMOVPE成長
３～５μm 帯GaAs基板上InAsSbのMOVPE成長
复制标题
InAsSb 在 3-5 μm 带 GaAs 衬底上的 MOVPE 生长
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
荒井昌和
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
今村優雅;吉元圭太;荒井昌和
