A Silicon Based Multi-Tens MHz Gate Driver IC for GaN Power Devices
A Silicon Based Multi-Tens MHz Gate Driver IC for GaN Power Devices
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用于 GaN 功率器件的硅基数十 MHz 栅极驱动器 IC
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S.Matsumoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Akagi;S.Miyano;S. Abe;and S.Matsumoto
