Challenges and Directions for Low-Voltage SRAM
Challenges and Directions for Low-Voltage SRAM
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低压SRAM的挑战和方向
DOI：
10.1109/mdt.2010.115
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发表时间：
2011
影响因子：
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通讯作者：
A. Chandrakasan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masood Qazi;M. Sinangil;A. Chandrakasan
SRAM能够在极低的电源电压下工作，例如，低于晶体管阈值电压，通过允许逻辑和存储器在相同的最佳电源电压下工作，可以实现超低功率电池供电系统。这篇评论文章介绍了SRAM技术，包括新的位单元，新颖的检测方案，和超低功耗应用的读/写辅助电路。
SRAMs capable of operating at extremely low supply voltages-for example, below the transistor threshold voltage-can enable ultra-low-power battery-operated systems by allowing the logic and memory to operate at the same optimal supply voltage. This review article presents SRAM techniques including new bit cells, novel sensing schemes, and read/write assist circuits for ultra-low-power applications.