M.Takahashi, H.Sugiyama, T.Nakaiso, K.Kodama, M.Noda, Masanori Okuyama: "Analysis and Improvement of Retention Time of Memorized State of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure for Ferroeiectric Gate FET Memory"Japanese Journal of Applied P
M.Takahashi, H.Sugiyama, T.Nakaiso, K.Kodama, M.Noda, Masanori Okuyama: "Analysis and Improvement of Retention Time of Memorized State of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure for Ferroeiectric Gate FET Memory"Japanese Journal of Applied P
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M.Takahashi、H.Sugiyama、T.Nakaiso、K.Kodama、M.Noda、Masanori Okuyama：“铁电栅极 FET 存储器的金属-铁电-绝缘体-半导体结构记忆状态的保留时间分析与改进”日本期刊
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