Preparation of high purity metals for advanced devices
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DOI：
10.1016/j.tsf.2011.05.038
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发表时间：
2011-10
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Isshiki;K. Mimura;M. Uchikoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Isshiki;K. Mimura;M. Uchikoshi
