Lateral- and Pendeo-Epitaxial Growth and Defect Reduction in GaN Thin Films
Lateral- and Pendeo-Epitaxial Growth and Defect Reduction in GaN Thin Films
复制标题
GaN 薄膜中的横向和悬垂外延生长以及缺陷减少
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1471
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Rajagopal
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Davis;O. Nam;T. Zheleva;T. Gehrke;K. Linthicum;P. Rajagopal
