Enhancement-mode Al2O3/InAlN/AlN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor with enhanced breakdown voltage using fluoride-based plasma treatment
Enhancement-mode Al2O3/InAlN/AlN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor with enhanced breakdown voltage using fluoride-based plasma treatment
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采用氟化物等离子体处理增强击穿电压的增强型 Al2O3/InAlN/AlN/GaN 金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
DOI：
10.7567/apex.7.071002
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发表时间：
2014
影响因子：
2.3
通讯作者：
Hao Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhao ShengLei;Xue JunShuai;Zhang Peng;Luo Jun;Fan XiaoJiao;Zhang JinCheng;Ma XiaoHua;Hao Yue;Hou Bin;Ma XiaoHua;Hao Y
