立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長
立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長
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使用立方 GaN 缓冲层进行立方 AlN 的 RF-MBE 生长
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. J. Haroosh;Y. Dong;D. S. Chaudhary;G. D. Ingram;S. Yusa;角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
