抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として
抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として
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电阻式存储器（ReRAM）现状与展望：聚焦绝缘纳米薄膜原子开关
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鶴岡徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. R. Mohapatra;T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;M. Aono;向山 広記，永沼 博，大兼 幹彦，安藤 康夫;鶴岡徹
