Formation mechanisms of monolayer pits having characteristic step-edge shapes on annealed GaAs (110) surfaces
Formation mechanisms of monolayer pits having characteristic step-edge shapes on annealed GaAs (110) surfaces
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退火GaAs（110）表面具有特征阶梯边缘形状的单层凹坑的形成机制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.W.West
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akira Ishii;T.Aisaka;J-W Oh;M.Yoshita;H.Akiyama;L.N.Pfeiffer;K.W.West
