TEM study of inversion domains in GaN layers grown on (0001) sapphire substrate
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DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00407-3
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发表时间：
1999-05
影响因子：
3.6
通讯作者：
V. Potin;P. Ruterana;G. Nouet
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Potin;P. Ruterana;G. Nouet
