Exciton Stark ladder in semiconductor superlattices.

Exciton Stark ladder in semiconductor superlattices.
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半导体超晶格中的激子斯塔克阶梯。

DOI:
10.1103/physrevb.43.4097
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发表时间:
1991
期刊:
Physical review. B, Condensed matter
影响因子:
--
通讯作者:
Sipe
Sipe
中科院分区:
--
文献类型:
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作者:
Dignam;Sipe

文献摘要

被引文献

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介绍了激子的计算方法、超激子的计算方法、超激子的计算方法、超激子的计算方法、超激子的计算方法、超激子的计算方法和超激子的计算方法。对可成立的概括观察的效应的解释
Presentation d'une methode de calcul des etats excitoniques 1s des super-reseaux de types I et II en presence d'un champ electrique d'onde excitoniques localisees comme base dans laquelle on developpe les etats propres excitoniques. Explication de la plupart des effets de champ faible generalement observes