Effects of disorder on optical and electron spin linewidths in Er 3+ ,Sc 3+ :Y 2 SiO 5
Effects of disorder on optical and electron spin linewidths in Er 3+ ,Sc 3+ :Y 2 SiO 5
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无序对Er 3 ,Sc 3 :Y 2 SiO 5 光学和电子自旋线宽的影响
DOI：
10.1016/j.optmat.2016.09.039
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发表时间：
2017
影响因子：
3.9
通讯作者：
Goldner, P.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Welinski, S.;Thiel, C.W.;Dajczgewand, J.;Ferrier, A.;Cone, R.L.;Macfarlane, R.M.;Chanelière, T.;Louchet-Chauvet, A.;Goldner, P.
研究了与Sc3+共掺杂的Er3+: y2sio5材料在光量子存储和信号处理中的应用。用Sc3+取代晶体中1%的Y3+，在晶格中引入静态应变，增加了Er3+光学跃迁的非均匀线宽（1.536 μm至25 GHz），与未掺杂Sc3+的Er3+: y2sio5样品相比增加了50倍。电子顺磁共振谱显示，电子自旋线宽也大幅增加，证实了先前提出的利用无序抑制共振自旋-自旋相互作用抑制退相干的机制。对自旋线展宽作为磁场方向的函数的分析表明，存在不能通过电子张量的简单变化来建模的贡献。在弱磁场为0.1 T时，观察到光学均匀线宽小于2 kHz，在温度为1.7 K时，也观察到场大于2 T且场取向靠近d2晶轴的光均匀线宽小于2 kHz。这些结果表明，该材料可用于电信c波段的高带宽经典和量子信息处理。
The material Er3+:Y2SiO5co-doped with Sc3+is investigated for applications in optical quantum storage and signal processing. Replacing 1% of the Y3+in the crystal with Sc3+introduces static strain into the lattice that increases the inhomogeneous linewidth of the Er3+optical transition at 1.536 μm to 25 GHz, a 50-fold increase compared to Er3+:Y2SiO5samples without Sc3+co-doping. Electron paramagnetic resonance spectroscopy shows that electron spin linewidths are also strongly increased, confirming the previously proposed mechanism for decoherence suppression by using disorder to inhibit resonant spin-spin interactions. Analysis of the spin line broadening as a function of magnetic field orientation indicates the presence of contributions that cannot be modeled by a simple change in the electronicgtensor. Optical homogeneous linewidths of less than 2 kHz are observed for a weak magnetic field of 0.1 T and also for fields greater than 2 T with the field oriented near theD2crystal axis and at a temperature of 1.7 K. These results suggest that this material can be useful for high-bandwidth classical and quantum information processing in the telecom C-band.
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DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
Introduction to Estimating, Plan Reading and Construction Techniques
影响因子：
--
作者：
Gary J. Anglin
通讯作者：
Gary J. Anglin
Tm 3 :Y 2 O 3 研究用于量子光存储应用
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Chanelière;J. Ruggiero;J. L. Gouët;W. Tittel;J. Mun;A. Jouini;A. Yoshikawa;G. Boulon;Y. ;P. Goldner;F. Beaudoux;J. Vincent;E. Antic;O. Guillot
通讯作者：
O. Guillot
无序晶体系统中 Eu3 的均匀和不均匀线宽。
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Jang;Meltzer
通讯作者：
Meltzer
影响因子：
3.7
作者：
O. Guillot-Noël;P. Goldner;Y. -. Du;E. Baldit;P. Monnier;K. Bencheikh
通讯作者：
O. Guillot-Noël;P. Goldner;Y. -. Du;E. Baldit;P. Monnier;K. Bencheikh
(Ca, Zr) 取代的 Gd3Ga5O12 中 Cr3 荧光的带宽和时间演化
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Grinberg;A. Brenier;G. Boulon;C. Pédrini;C. Madej
通讯作者：
C. Madej