Photoluminescence Studies of Implantation Damage Centers in 30Si

Photoluminescence Studies of Implantation Damage Centers in 30Si
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30Si 注入损伤中心的光致发光研究

DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
J. Appl. Phys. 96
影响因子:
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通讯作者:
K.M.Itoh
K.M.Itoh
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
S.Hayama;G.Davies;K.M.Itoh

文献摘要

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