Formation of Silicon Oxynitride Films with Low Leakage Current Using N_2/O_2 Plasma near Atomospheric Pressure
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近大气压N_2/O_2等离子体形成低漏电流氮氧化硅薄膜
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Fujimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Hayakawa;T.Yoshimura;A.Ashida;H.Kitahata;M.Yuasa;N.Fujimura
