Strain effects on ballistic current in ultrathin DG SOI MOSFETs
Strain effects on ballistic current in ultrathin DG SOI MOSFETs
复制标题
超薄 DG SOI MOSFET 中弹道电流的应变效应
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Minari and N. Mor
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Mori;H.Minari;H. Minari and N. Mor
