Zhang Y., Krishnamoorthy S., Rajan S. (2020) Field-Effect Transistors 3. In: Higashiwaki M., Fujita S. (eds) Gallium Oxide. Springer Series in Materials Science, vol 293. Springer, Cham
Zhang Y., Krishnamoorthy S., Rajan S. (2020) Field-Effect Transistors 3. In: Higashiwaki M., Fujita S. (eds) Gallium Oxide. Springer Series in Materials Science, vol 293. Springer, Cham
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张 Y.、Krishnamoorthy S.、Rajan S. (2020) 场效应晶体管 3。见：Higashiwaki M.、Fujita S.（编辑）氧化镓。
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Zhang Y., Krishnamoorthy S.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang Y., Krishnamoorthy S.
