Random-field Ising model for the hysteresis of the prewetting transition on a disordered substrate
Random-field Ising model for the hysteresis of the prewetting transition on a disordered substrate
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无序基底上预润湿转变滞后的随机场 Ising 模型
DOI：
10.1016/s0378-4371(97)00524-4
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发表时间：
1998
影响因子：
3.3
通讯作者：
J. Dupont
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Blossey;T. Kinoshita;J. Dupont
