Interface States in GaAs/p-GaAs_1xBix Heterointerface UsingAdmittance spectroscopy

Interface States in GaAs/p-GaAs_1xBix Heterointerface UsingAdmittance spectroscopy
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使用导纳谱分析 GaAs/p-GaAs_1xBix 异质界面中的界面态

DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
M. Yoshimoto
M. Yoshimoto
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T. Fuyuki;S. Kashiyama;K. Oe;M. Yoshimoto

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