R.Kobayashi,S.Narahara,K.Ishikawa,F.Hasegawa: "Analysis of atomic layer epitaxy of GaAs using GaCl_3 by surface photo-absorption method" Inst.Phys.Conf.Ser.No129. 927-928 (1993)
R.Kobayashi,S.Narahara,K.Ishikawa,F.Hasegawa: "Analysis of atomic layer epitaxy of GaAs using GaCl_3 by surface photo-absorption method" Inst.Phys.Conf.Ser.No129. 927-928 (1993)
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R.Kobayashi、S.Narahara、K.Ishikawa、F.Hasekawa：“通过表面光吸收法使用 GaCl_3 分析 GaAs 原子层外延” Inst.Phys.Conf.Ser.No129。
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