Finite-size corrections for defect-involving vertical transitions in supercell calculations
Finite-size corrections for defect-involving vertical transitions in supercell calculations
复制标题
超级晶胞计算中涉及缺陷的垂直跃迁的有限尺寸修正
DOI：
10.1103/physrevb.101.020102
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发表时间：
2020
影响因子：
3.7
通讯作者：
Oba Fumiyasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gake Tomoya;Kumagai Yu;Freysoldt Christoph;Oba Fumiyasu
本文提出了一种用超原胞技术计算缺陷态的垂直跃迁能级的修正方法，并用10种典型材料（BN，GaN，MgO和3C-SiC）中的缺陷系统地验证了该方法的有效性。在没有任何校正的情况下，在大多数情况下，对于中等尺寸的超晶胞，绝对误差在1 eV左右。相比之下，当我们的校正方法被采用时，绝对误差减小，并且在所有情况下都变得小于0.12 eV。我们的校正方案是通用的，将有广泛的应用潜力，因为它是自适应的评估各种数量在固定的几何形状，所代表的那些相关的广义Koopmans定理。
A correction method for vertical transition levels (VTLs) involving defect states calculated with a supercell technique is formulated and its effectiveness is systematically verified with ten defects in prototypical materials: cubic-BN, GaN, MgO, and 3C-SiC. Without any corrections, the absolute errors are around 1 eV with moderate size supercells in most cases. In contrast, when our correction method is adopted, the absolute errors are reduced and become less than 0.12 eV in all the cases. Our correction scheme is general and will have the potential for wide application as it is adaptive for evaluating various quantities at fixed geometry, as represented by those relevant to the generalized Koopmans' theorem.
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DOI：
--
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期刊：
影响因子：
--
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