Role of transverse effective mass in Auger generation impacted planar III-V Tunnel FETs

Role of transverse effective mass in Auger generation impacted planar III-V Tunnel FETs
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横向有效质量在俄歇发电中的作用影响平面 III-V 隧道 FET

DOI:
10.1109/drc46940.2019.9046439
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发表时间:
2019
期刊:
2019 Device Research Conference (DRC
影响因子:
--
通讯作者:
Ghosh, Avik W.
Ghosh, Avik W.
中科院分区:
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文献类型:
--
作者:
Ahmed, Sheikh Z.;Tan, Yaohua;Ghosh, Avik W.

文献摘要

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