Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
复制标题
溅射法在 Si 上生长 SiC 的结晶度控制
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshiyuki Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryosuke Watanabe;Takahiro Tsukamoto;Koichi Kamisako;Yoshiyuki Suda
