大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価
大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価
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常压等离子体CVD法低温生长外延硅薄膜的电学性能评价
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安武潔
中科院分区：
文献类型：
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作者：
桐畑豊;野村徹;大参宏昌;垣内弘章;安武潔
