MOCVD epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3 films on (100) and (-201) β-Ga2O3 substrates with Al compositions up to 52%
MOCVD epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3 films on (100) and (-201) β-Ga2O3 substrates with Al compositions up to 52%
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DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A F M A. U. Bhuiyan, Z. Feng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A F M A. U. Bhuiyan, Z. Feng
