Effects of V/III source ratio on the hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN growtn by MOVPE
Effects of V/III source ratio on the hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN growtn by MOVPE
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V/III源比对MOVPE生长N极(000-1)p型GaN空穴浓度的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Nonoda;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
