A Microstructure For Measurement Of Thermal Conductivity Of Polysilicon Thin Films
A Microstructure For Measurement Of Thermal Conductivity Of Polysilicon Thin Films
复制标题
一种测量多晶硅薄膜热导率的微观结构
DOI：
10.1109/jmems.1992.752511
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Balles
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Volklein;H. Balles
在80 - 400K的温度范围内测量了采用CMOS集成电路技术生产的多晶硅薄膜的热导率。描述了一种使用一对有和没有多晶硅薄膜的氧化物微梁测试结构的差分方法。利用从同一薄膜获得的电学和电磁数据确定了电子热导率和晶格热导率。在200K以上，我们发现总热导率为29W/mK，其中电子热导率占比小于3%。
The thermal conductivity of polysilicon films pro- duced in CMOS IC technology Is measured In the temperature range 80400 K. A differential method using a pair of oxide inicrobeam test structures with and without polysilicon film Is described. Electronic and lattice thermal conductivity are determined using electrical and galvanomagnetic data obtained for the same film. Above 200 K, we find 29 W/mK total ther mal conductivity with an electronic content of less than 3%.