Formation of Ultrathin SiN_x/ Si Interface Control Double Layer on (001) and (111) GaAs Surfaces for Ex-situ Deposition of High-k Dielectrics
Formation of Ultrathin SiN_x/ Si Interface Control Double Layer on (001) and (111) GaAs Surfaces for Ex-situ Deposition of High-k Dielectrics
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在 (001) 和 (111) GaAs 表面上形成超薄 SiN_x/ Si 界面控制双层用于高 k 电介质的异位沉积
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Akazawa;H. Hasegawa
