H.Ueno, M.Tanaka, K.Morikawa, T.Takahashi, M.Miura-Mattausch, Y.Omura: "Origin of transconductance oscillations in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin 6-nm-thick active Si-layer"Journal of Applied Physics
H.Ueno, M.Tanaka, K.Morikawa, T.Takahashi, M.Miura-Mattausch, Y.Omura: "Origin of transconductance oscillations in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin 6-nm-thick active Si-layer"Journal of Applied Physics
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H.Ueno、M.Tanaka、K.Morikawa、T.Takahashi、M.Miura-Mattausch、Y.Omura：“具有超薄 6- 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的跨导振荡的起源
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