Single source precursor-based HV-MOCVD deposition of binary group 13-antimonide thin films
Single source precursor-based HV-MOCVD deposition of binary group 13-antimonide thin films
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基于单源前驱体的 HV-MOCVD 沉积二元 13 族锑化物薄膜
DOI：
10.1016/j.surfcoat.2007.03.045
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发表时间：
2007
影响因子：
5.4
通讯作者：
K. Kohse-Höinghaus
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Schulz;D. Schuchmann;S. Fahrenholz;A. Kuczkowski;W. Assenmacher;F. Reilmann;N. Bahlawane;K. Kohse-Höinghaus
[R2GaSbR'2]x(R, R'=烷基) 类型的定制单源前体已通过新颖的合成途径制备。根据其极低的蒸气压，专门设计了HV-MOCVD反应器，可用于GaSb材料薄膜的沉积。将讨论几个工艺参数（例如基材温度和反应器几何形状）对所得薄膜质量的影响。
Tailor-made single source precursors of the type [R2GaSbR′2]x(R, R′=alkyl) have been prepared by a novel synthetic pathways. According to their very low vapor pressures, a specifically designed HV-MOCVD reactor was built, which can be used for the deposition of GaSb material films. The influence of several process parameters such as substrate temperature and reactor geometry on the quality of the resulting films will be discussed.
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