Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces
Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces
复制标题
基于从头计算的 4H-SiC/SiO2 界面反应过程方法
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toru Akiyama;T. Shimizu;Tomonori Ito;H. Kageshima;K. Shiraishi
