Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation
Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation
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使用和不使用低能电子辐照的 p 型 4H-SiC 外延层中的超载流子寿命
DOI：
10.1143/jjap.51.028006
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发表时间：
2012
影响因子：
1.5
通讯作者：
Takeshi Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masashi Kato;Yoshinori Matsushita;Masaya;Ichimura;Tomoaki Hatayama;Takeshi Ohshima
