HVPE growth of self-standing thick GaN layers with novel pit-induced buffer layers
HVPE growth of self-standing thick GaN layers with novel pit-induced buffer layers
复制标题
具有新型坑诱发缓冲层的自支撑厚 GaN 层的 HVPE 生长
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Sato and H. Goto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sato;S. Okano;T. Goto;T. Yao;A. Sato and H. Goto
