The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress
The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress
复制标题
偏置应力导致异质 MOSFET 中 SiGe/Si 异质界面的不稳定性
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Junichi Murota
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Toshiaki Tsuchiya;Seiji Mishima;Masao Sakuraba;Junichi Murota
