Correlation between surface morphology and breakdown characteristics of thermally grown SiO_2 dielectrics in 4H-SiC MOS devices
Correlation between surface morphology and breakdown characteristics of thermally grown SiO_2 dielectrics in 4H-SiC MOS devices
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4H-SiC MOS器件中热生长SiO_2电介质表面形貌与击穿特性的相关性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Uenishi;et al
