Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
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Si(111) 上 GaSb 异质外延及 HfO2/GaSb MOS 电容器的制造
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安田 哲二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大竹晃浩;間野高明;宮田 典幸;森 貴洋;安田 哲二
