Redistribution and activation of implanted S, Se, Te, Be, Mg, and C in GaN
Redistribution and activation of implanted S, Se, Te, Be, Mg, and C in GaN
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GaN 中注入的 S、Se、Te、Be、Mg 和 C 的重新分布和激活
DOI：
10.1116/1.581800
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C. Abernathy
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Wilson;J. Zavada;Xiaofan Cao;Rajendra Singh;S. Pearton;H. Guo;S. Pennycook;M. Fu;J. A. Sekhar;V. Scarvepalli;R. Shu;J. Han;D. Rieger;J. Zolper;C. Abernathy
各种不同的可能的施主和受主杂质已被注入GaN中，并退火至1450 °C。S+和Te+产生的峰值电子浓度约为1.5 ×1018 cm−3，远低于Si+的峰值电子浓度。 Mg离子注入样品产生p型导电性，而Be+和C+离子注入样品仍保持n型导电性。对于1450 °C退火，没有观察到任何注入物质的再分布。与更常用的1100 °C退火相比，高剂量（5×1015 cm−2）Si+注入GaN的1400 °C退火实现了更有效的损伤去除。
A variety of different possible donor and acceptor impurities have been implanted into GaN and annealed up to 1450 °C. S+ and Te+ produce peak electron concentrations ⩽5×1018 cm−3, well below that achievable with Si+. Mg produces p-type conductivity, but Be+- and C+- implanted samples remained n type. No redistribution was observed for any of the implanted species for 1450 °C annealing. Much more effective damage removal was achieved for 1400 °C annealing of high-dose (5×1015 cm−2) Si+ implanted GaN, compared to the more commonly used 1100 °C annealing.