CeT2Al10 (T = Ru, Os) 置換系におけるスピンギャップの磁場効果II
CeT2Al10 (T = Ru, Os) 置換系におけるスピンギャップの磁場効果II
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CeT2Al10(T=Ru,Os)取代体系II中自旋间隙的磁场效应
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
近藤晃弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
細井優;蔵田聡信;河智史朗;水上雄太;綿重達哉;笠原成;徳永将史;松田裕司;芝内孝禎;近藤晃弘
