Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors
Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors
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Al2O3层插入对Ga-In-Zn-O薄膜晶体管电性能的影响
DOI：
10.1116/1.4928763
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kurishima;T. Nabatame;M. Shimizu;N. Mitoma;T. Kizu;S. Aikawa;K. Tsukagoshi;A. Ohi;T. Chikyow;A. Ogura
