A Ratio-Less 10-Transistor Cell and Static Column Retention Loop Structure for Fully Digital SRAM
A Ratio-Less 10-Transistor Cell and Static Column Retention Loop Structure for Fully Digital SRAM
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用于全数字 SRAM 的无比率 10 晶体管单元和静态列保持环结构
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. ;
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saito;T. ; Okamura;H. ; Yamamoto;H. ;
