Strain analysis of arsenic-doped silicon using CBED rocking curves of low-order reflertiong

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使用低阶反射的 CBED 摇摆曲线进行砷掺杂硅的应变分析

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
Journal of Electron Microscopy (in press)
影响因子:
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通讯作者:
Kenji Tsuda
Kenji Tsuda
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Yuuji TUJIKO;Makoto KAWAMURA;太田 泰雄;Yasuo OHTA;Ralf Theissmann;Kenji Tsuda;Ralf Theissmann;Kenji Tsuda

文献摘要

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