Layer by Layer Growth of Solid 4He on Graphite down to 0.1 K
Layer by Layer Growth of Solid 4He on Graphite down to 0.1 K
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石墨上固体 4He 的逐层生长低至 0.1 K
DOI：
10.1007/s10909-011-0452-z
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发表时间：
2012
影响因子：
2
通讯作者：
Keiya Shirahama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Aaron M.Koga;Yoshiyuki Shibayama;Keiya Shirahama
已知在远低于整体凝固点的压力下，石墨上从超流体相产生的固体he生长。吸附层数随压力的增加而增加，在低温下，固体生长呈非连续的逐层生长。我们用扭振法研究了等温线低至0.1 K的这种增长。与简单的逐层生长情况相比，我们的证据表明，在低温下，吸附固体4he的生长更加复杂，并且在石墨衬底上存在较少的固体。
The growth of solid4He on graphite from the superfluid phase is known to occur at pressures well below the bulk solidification point. The number of adsorbed layers increases with pressure and the solid growth undergoes non-continuous layer-by-layer growth at low temperature. We have studied this growth using the torsional oscillator method for isotherms down to 0.1 K. In contrast with simple layer-by-layer growth scenarios, our evidence suggests that the growth of adsorbed solid4He is more complex and less solid is present on the graphite substrate at low temperature.
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DOI：
10.1103/physrevlett.53.802
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
E. Polturak
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影响因子：
--
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通讯作者：
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--
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--
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影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Y. Larher