Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer
Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer
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通过插入含氮非晶层控制金属/Ge界面的肖特基势垒高度
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Yamamoto;Dong Wang;Hiroshi Nakashima
